Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center

         

Библиотека BREAKOUT.SLB


Имя,

назначение

Символ

Атрибуты

Bbreak,

арсенид-галлиевый полевой транзистор с каналом n-типа

      



REFDES=B?

AREA= – количество параллельно включенных транзисторов

MODEL=Bbreak – имя модели транзистора

TEMPLATE=B^@REFDES  %D %G %S 

     @MODEL   ?AREA/@AREA/

Cbreak,

конденсатор

        

REFDES=C?

VALUE=1n – значение емкости

IC= – начальное значение напряжения на конденсаторе

MODEL=Cbreak – имя модели конденсатора

TEMPLATE=C^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                           @VALUE  ?IC/IC=@IC/

Dbreak,

диод

        

REFDES=D?

AREA= – количество параллельно включенных диодов

MODEL=Dbreak – имя модели диода

TEMPLATE=D^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                             ?AREA/@AREA/

Dbreak3,

два диода с объединенными катодами

        

REFDES=D?

AREA=

MODEL=Dbreak3 – имя макромодели двух диодов

TEMPLATE=X^@REFDES  %1 %2  %3

       @MODEL

DbreakCR,

варистор

       

REFDES=D?

AREA=

MODEL=Dbreak – имя модели варистора

TEMPLATE=D^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                             ?AREA/@AREA/

DbreakVV,

варикап

REFDES=D?

AREA=

MODEL=Dbreak

TEMPLATE=D^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                             ?AREA/@AREA/

DbreakZ,

стабилитрон

  

REFDES=D?

AREA=

MODEL=Dbreak

TEMPLATE=D^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                             ?AREA/@AREA/

JbreakN,

полевой транзистор с каналом n-типа

  

REFDES=J?

AREA=

MODEL=JbreakN

TEMPLATE=J^@REFDES  %D %G %S 

       @MODEL    ?AREA/@AREA/

JbreakP,

полевой транзистор с каналом p-типа

   

REFDES=J?

AREA=

MODEL=JbreakP

TEMPLATE=J^@REFDES  %D %G %S 

      @MODEL    ?AREA/@AREA/

Lbreak,

индуктивность

REFDES=L?

VALUE= – значение индуктивности

IC= – начальное значение тока через индуктивность

MODEL=Lbreak

TEMPLATE=L^@REFDES  %1 %2  @MODEL

                           @VALUE  ?IC/IC=@IC/

MbreakN,

МОП-транзистор  с каналом n-типа

  

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakN

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B 

        @MODEL\n+

       ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

MbreakN3,

МОП-транзистор  с каналом n-типа (подложка соединена с истоком)

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakN

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %S 

            @MODEL\n+

            ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

MbreakN4,

МОП-транзистор  с каналом n-типа

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakP

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B 

          @MODEL\n+

           ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

MbreakP,

МОП-транзистор  с каналом p-типа

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakP

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B 

         @MODEL\n+

          ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

MbreakP3,

МОП-транзистор  с каналом p-типа (подложка соединена с истоком)

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakP

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %S 

         @MODEL\n+

          ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

MbreakP4,

МОП-транзистор  с каналом p-типа

REFDES=M?

L=   W=   AD=   AS=   PD=   PS=   NRD=   NRS=   NRG=  

NRB=   M=

MODEL=MbreakP

TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B 

        @MODEL\n+

         ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/

POT,

потенциометр

REFDES=R?

VALUE=1k – сопротивление  потенциометра

SET=0.5 – коэффициент деления сопротивлений

TEMPLATE=RT^@REFDES %1 %t 

       {@VALUE*(1-@SET)+0.001}\n

        RS^@REFDES %t %2 

        {@VALUE*@SET+0.001}

QbreakL,

биполярный боковой p–n–p-транзистор

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakL

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e [%s] 

         @MODEL  ?AREA/@AREA/

QbreakN,

биполярный    n–p–n- транзистор

     

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakN

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e 

     @MODEL  ?AREA/@AREA/

QbreakN3,

биполярный    n–p–n-транзистор

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakN

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e 

       @MODEL     ?AREA/@AREA/

QbreakN4,

биполярный    n–p–n-транзистор с выводом подложки

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakN

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e  [%s] 

       @MODEL  ?AREA/@AREA/

QbreakP,

биполярный    p–n–p- транзистор

       

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakP

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e 

       @MODEL     ?AREA/@AREA/

QbreakP3,

биполярный p–n–p-  транзистор

      

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakP

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e 

       @MODEL   ?AREA/@AREA/

QbreakP4,

биполярный p–n–p-   транзистор с выводом подложки

       

REFDES=Q?

AREA=

MODEL=QbreakP

TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e  [%s]

        @MODEL     ?AREA/@AREA/

Rbreak,

резистор

REFDES=R?

VALUE=1k – сопротивление резистора

TC= – температурный коэффициент сопротивления

TEMPLATE=R^@REFDES %1 %2 @VALUE

        ?TC/TC=@TC/

Sbreak,

ключ, управляемый напряжением

       

REFDES=S?

MODEL=Sbreak

TEMPLATE=S^@REFDES %3 %4 %1 %2

           @MODEL\n

             RS^REFDES %1 %2 1G

Wbreak,

ключ, управляемый током

       

REFDES=W?

MODEL=Wbreak

TEMPLATE=W^@REFDES %3 %4

         VW^REFDES @MODEL\n

         VW^REFDES %1 %2  0V

XFRM_NON-LINEAR,

трансформатор с магнитным сердечником

REFDES=TX?

L1_TURNS= – число витков 1-й обмотки

L2_TURNS= – число витков 2-й обмотки

COUPLING=  – коэффициент связи

TEMPLATE=K^@REFDES L1^@REFDES L2^@REFDES  @COUPLING  @MODEL\n

                 L1^@REFDES  %1 %1

                @L1_TURNS\n

                 L2^@REFDES %3 %4 @L2_TURNS




Содержание раздела