Библиотека BREAKOUT.SLB
| Имя,
назначение | Символ | Атрибуты | |||
| Bbreak,
арсенид-галлиевый полевой транзистор с каналом n-типа |  |
| REFDES=B?
AREA= – количество параллельно включенных транзисторов MODEL=Bbreak – имя модели транзистора TEMPLATE=B^@REFDES %D %G %S @MODEL ?AREA/@AREA/ | ||
| Cbreak,
конденсатор |  | REFDES=C?
VALUE=1n – значение емкости IC= – начальное значение напряжения на конденсаторе MODEL=Cbreak – имя модели конденсатора TEMPLATE=C^@REFDES %1 %2 @MODEL @VALUE ?IC/IC=@IC/ | |||
| Dbreak,
диод |  | REFDES=D?
AREA= – количество параллельно включенных диодов MODEL=Dbreak – имя модели диода TEMPLATE=D^@REFDES %1 %2 @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| Dbreak3,
два диода с объединенными катодами |  | REFDES=D?
AREA= MODEL=Dbreak3 – имя макромодели двух диодов TEMPLATE=X^@REFDES %1 %2 %3 @MODEL | |||
| DbreakCR,
варистор |  | REFDES=D?
AREA= MODEL=Dbreak – имя модели варистора TEMPLATE=D^@REFDES %1 %2 @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| DbreakVV,
варикап |  | REFDES=D?
AREA= MODEL=Dbreak TEMPLATE=D^@REFDES %1 %2 @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| DbreakZ,
стабилитрон |  | REFDES=D?
AREA= MODEL=Dbreak TEMPLATE=D^@REFDES %1 %2 @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| JbreakN,
полевой транзистор с каналом n-типа |  | REFDES=J?
AREA= MODEL=JbreakN TEMPLATE=J^@REFDES %D %G %S @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| JbreakP,
полевой транзистор с каналом p-типа |  | REFDES=J?
AREA= MODEL=JbreakP TEMPLATE=J^@REFDES %D %G %S @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| Lbreak,
индуктивность |  | REFDES=L?
VALUE= – значение индуктивности IC= – начальное значение тока через индуктивность MODEL=Lbreak TEMPLATE=L^@REFDES %1 %2 @MODEL @VALUE ?IC/IC=@IC/ | |||
| MbreakN,
МОП-транзистор с каналом n-типа |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakN TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| MbreakN3,
МОП-транзистор с каналом n-типа (подложка соединена с истоком) |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakN TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %S @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| MbreakN4,
МОП-транзистор с каналом n-типа |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakP TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| MbreakP,
МОП-транзистор с каналом p-типа |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakP TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| MbreakP3,
МОП-транзистор с каналом p-типа (подложка соединена с истоком) |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakP TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %S @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| MbreakP4,
МОП-транзистор с каналом p-типа |  | REFDES=M?
L= W= AD= AS= PD= PS= NRD= NRS= NRG= NRB= M= MODEL=MbreakP TEMPLATE=M^@REFDES %D %G %S %B @MODEL\n+ ?L/L=@L/ ?W/W=@W/... ?M/M=@M/ | |||
| POT,
потенциометр |  | REFDES=R?
VALUE=1k – сопротивление потенциометра SET=0.5 – коэффициент деления сопротивлений TEMPLATE=RT^@REFDES %1 %t {@VALUE*(1-@SET)+0.001}\n RS^@REFDES %t %2 {@VALUE*@SET+0.001} | |||
| QbreakL,
биполярный боковой p–n–p-транзистор |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakL TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e [%s] @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakN,
биполярный n–p–n- транзистор |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakN TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakN3,
биполярный n–p–n-транзистор |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakN TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakN4,
биполярный n–p–n-транзистор с выводом подложки |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakN TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e [%s] @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakP,
биполярный p–n–p- транзистор |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakP TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakP3,
биполярный p–n–p- транзистор |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakP TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| QbreakP4,
биполярный p–n–p- транзистор с выводом подложки |  | REFDES=Q?
AREA= MODEL=QbreakP TEMPLATE=Q^@REFDES %c %b %e [%s] @MODEL ?AREA/@AREA/ | |||
| Rbreak,
резистор |  | REFDES=R?
VALUE=1k – сопротивление резистора TC= – температурный коэффициент сопротивления TEMPLATE=R^@REFDES %1 %2 @VALUE ?TC/TC=@TC/ | |||
| Sbreak,
ключ, управляемый напряжением |  | REFDES=S?
MODEL=Sbreak TEMPLATE=S^@REFDES %3 %4 %1 %2 @MODEL\n RS^REFDES %1 %2 1G | |||
| Wbreak,
ключ, управляемый током |  | REFDES=W?
MODEL=Wbreak TEMPLATE=W^@REFDES %3 %4 VW^REFDES @MODEL\n VW^REFDES %1 %2 0V | |||
| XFRM_NON-LINEAR,
трансформатор с магнитным сердечником |  | REFDES=TX?
L1_TURNS= – число витков 1-й обмотки L2_TURNS= – число витков 2-й обмотки COUPLING= – коэффициент связи TEMPLATE=K^@REFDES L1^@REFDES L2^@REFDES @COUPLING @MODEL\n L1^@REFDES %1 %1 @L1_TURNS\n L2^@REFDES %3 %4 @L2_TURNS |
