Удельная емкость перекрытия на единицу

Параметр	Обозначение	n-канал	p-канал
Уровень легирования, Атом/см	Na	10	10
Толщина оксида, мкм	TOX	0,04	0,04
Работа выхода материал-кремний, В	Fms	-0,6	-0,1
Подвижность в канале, см /В/с		700	300
Топологическая длина канала, мкм	L	3	3
Глубина переходов стока и истока, мкм	XJ	0,6	0,6
Поддиффузия стока и истока, мкм	LD	0,15	0,15
Удельная емкость перекрытия на единицу ширины, пФ/мкм	Cox	0,35·10	0,35·10
Подгонка порогов:
тип примеси		Фосфор	Фосфор
эффективная глубина      легирования, мкм	Xi	0,3	0,3
эффективная поверхностная концентрация, Атом/см	Nsi	2·10	0,9·10
Пороговое напряжение, В	Vto	0,7	-0,7
Степень легирования поликремнияя, Атом/см	Nd	10	10
Удельное сопротивление поликремния, Ом/кв.	NRG	20	20
Емкости сток–подложка, исток–подложка при нулевом смещении, пФ/мкм	CJ	8·10	2·10
Показатель степени	MJ	0,5	0,5
Показатель степени	MJSW	0,5	0,5
Удельная емкость исток-периферия, сток–периферия при нулевом смещении, пФ/мкм	CJSW	5·10	1,5·10
Плотность поверхностных состояний, Атом/см	Qss/q	10	10

Здесь пороговое напряжение рассчитывается по формуле



где Qb – заряд обедненного слоя подложки.

В заключение сравним модели МОП-транзистора. На практике чаще всего используется модель первого уровня LEVEL=1. Она применяется в грубых расчетах, когда не требуется высокая точность. Отметим ее основные достоинства и недостатки:

– наименьшее время вычислений из всех моделей благодаря простоте уравнений;

– не учитывается зависимость подвижности носителей от электрического поля;

– не рассматривается подпороговый режим;

– не учитывается зависимость порогового напряжения от параметров L, W и Vds,;

– все емкости рассчитываются упрощенно,


Содержание  Назад  Вперед

---

Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий

---

---

---