Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


МОП-транзисторы - часть 10


Параметр   

Обозначение

n-канал

p-канал

Уровень легирования, Атом/см

 

Na

10

10

Толщина оксида, мкм

TOX

0,04

0,04

Работа выхода материал-кремний, В

Fms

-0,6

-0,1

Подвижность в канале, см

/В/с  

700

300

Топологическая длина канала, мкм

L

3

3

Глубина переходов стока и истока, мкм

XJ

0,6

0,6

Поддиффузия стока и истока, мкм

LD

0,15

0,15

Удельная емкость перекрытия на единицу ширины, пФ/мкм

Cox

0,35·10

 

0,35·10

Подгонка порогов:

 

 

 

      тип примеси

 

Фосфор

Фосфор

      эффективная глубина      легирования, мкм

Xi

0,3

0,3

      эффективная поверхностная концентрация, Атом/см

 

Nsi

2·10

0,9·10

Пороговое напряжение, В

Vto

0,7

-0,7

Степень легирования поликремнияя, Атом/см

 

Nd

10

 

10

 

Удельное сопротивление поликремния, Ом/кв.

NRG

20

20

Емкости сток–подложка, исток–подложка при нулевом смещении, пФ/мкм

CJ 

8·10

2·10

Показатель степени

MJ

0,5

0,5

Показатель степени

MJSW

0,5

0,5

Удельная емкость исток-периферия, сток–периферия при нулевом смещении, пФ/мкм

CJSW

5·10

1,5·10

Плотность поверхностных состояний, Атом/см

 

Qss/q

10

 

10

 

 

Здесь пороговое напряжение рассчитывается по формуле

 

 

где Qb – заряд обедненного слоя подложки.

В заключение сравним модели МОП-транзистора. На практике чаще всего используется модель первого уровня LEVEL=1. Она применяется в грубых расчетах, когда не требуется высокая точность. Отметим ее основные достоинства и недостатки:

– наименьшее время вычислений из всех моделей благодаря простоте уравнений;

– не учитывается зависимость подвижности носителей от электрического поля;

– не рассматривается подпороговый режим;

– не учитывается зависимость порогового напряжения от параметров L, W и Vds,;

– все емкости рассчитываются упрощенно,




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин