Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


МОП-транзисторы - часть 11


– не учитывается неоднородность легирования.

Модель LEVEL=2 основана на более точных теоретических построениях, однако ряд ее параметров трудно оценить по экспериментальным данным. При этом модель достаточно сложна, требует больших затрат на моделирование и возникают проблемы сходимости метода Ньютона–Рафсона при расчете режима по постоянному току.

Полуэмпирическая модель LEVEL=3 требует меньших вычислительных затрат и ее рекомендуется использовать для практических расчетов мощных вертикальных МОП-транзисторов с коротким каналом. Ее недостаток состоит в сложности оценки параметров математической модели по экспериментальным данным (но все равно это проще, чем для модели LEVEL=2).

Модель LEVEL=4  (BSIM1) основана на физике работы транзисторов с малыми размерами и рассчитана на получение параметров моделей изготовленных образцов с помощью специальной программы, управляющей работой тестера полупроводниковых приборов.

Модели LEVEL=5 и 6 (BSIM3) более точно описывают субмикронные МОП-транзисторы и непрерывно модифицируются. Из них модель LEVEL=6 предпочтительнее [59].




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин