Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center
По умолчанию, если параметр LEVEL
/p> По умолчанию, если параметр LEVEL не указан при описании модели, используется модель МОП-транзистора первого типа.
Параметры, характерные только для модели МОП-транзистора четвертого типа, приведены в табл. 4.6.
Таблица 4.6
Имя параметра | Параметр | Единица измерения |
DL | Уменьшение эффективной длины канала |  |
DW | Уменьшение эффективной ширины канала | |
TOX | Толщина оксида затвора | |
VFB | Напряжение плоских зон | В |
PHI | Контактная разность потенциалов инверсного слоя перехода | В |
K1 | Коэффициент влияния подложки |  |
K2 | Коэффициент разделения заряда обедненной области между стоком и истоком | |
ETA | Коэффициент, отражающий зависимость порогового напряжения от смещения подложка–сток | |
X2E | Чувствительность уровня индуцированного слоя к смещению на подложке | В |
X3E | Чувствительность уровня индуцированного слоя к смещению на стоке при Vds=Vdd | В |
MUZ | Подвижность носителей при нулевом смещении | см  |
X2MZ | Чувствительность подвижности носителей к смещению на подложке при Vds=0 | см |
UO | Коэффициент, отражающий изменение подвижности от напряженности вертикального поля | В  |
X2UO | Чувствительность критической подвижности носителей к смещению на подложке | В  |
U1 | Коэффициент, определяющий степень насыщения скорости носителей от напряжения на стоке | |
X2U1 | Чувствительность максимальной скорости носителей к напряжению смещения на подложке | |
X3U1 | Чувствительность максимальной скорости носителей к напряжению смещения на стоке при Vds=Vdd | |
MUS | Подвижность носителей при нулевом смещении на подложке и Vds=Vdd | см |
X2MS | Чувствительность подвижности носителей к смещению на подложке при Vds=0 | см |
X3MS | Чувствительность подвижности носителей к смещению на стоке при Vds=Vdd | см |
NO | Коэффициент наклона проходной характеристики в субпороговом режиме при нулевом смещении на подложке | |
NB | Чувствительность коэффициента наклона проходной характеристики в субпороговом режиме к смещению на подложке | |
ND | Чувствительность коэффициента наклона проходной характеристики в субпороговом режиме к смещению на стоке | |
TEMP | Температура, при которой измерены параметры транзистора |  |
VDD | Коэффициент влияния напряжения смещения | |
XPART | Флаг, определяющий распределение зарядов между стоком и истоком (при XPART=0 устанавливается соотношение зарядов сток-исток, равное 40/60, при XPART=1 – соотношение 0/100) | |
WDF | Ширина переходов стока и истока по умолчанию | м |
DELL | Уменьшение ширины переходов стока и истока по умолчанию | м |
