Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center

              

в схему можно указать значения


/p> Здесь Vdd – напряжение, при котором проводятся измерения (обычно оно равно напряжению питания).

При включении МОП-транзистора в схему можно указать значения  необязательных параметров (см. табл. 4.7).

Таблица 4.7





















































































































































Обозначение



 Параметр



 Значение по умолчанию



Размерность



L



Длина канала DEFL



м





W



Ширина канала DEFW



м



 



AD



Площадь диффузионной области стока DEFAD



м



 



AS



Площадь диффузионной области истока DEFAS



м



 



PD



Периметр диффузионной области стока



0



м



PS



Периметр диффузионной области истока



0



м



NRD



Удельное относительное сопротивление стока



1



 



NRS



Удельное относительное сопротивление истока



1





NRG



Удельное относительное сопротивление затвора



0





NRB



Удельное относительное сопротивление подложки



0



 



M



Масштабный коэффициент



1



 



Сведения, общие для первых трех моделей МОП-транзистора. Часть параметров модели МОП-транзистора задается на входном языке программы PSpice - это параметры L, W, AD, AS, PD, PS, NRD, NRS, NRG, NRB и M (см. п. 3.2.6). При этом параметрам L, W, AD и AS устанавливаются значения по умолчанию с помощью директивы .OPTIONS. Очень удобен параметр M – в библиотеку моделей достаточно для каждой технологии занести параметры модели МОП-транзистора с длиной канала 1 мкм и затем учитывать изменение длины канала выбором величины M. Объемные сопротивления RD, RS, RG и RB задаются в явном виде либо вычисляются умножением удельного сопротивления RSH на NRD, NRS, NRG и NRB: RD=RSH·NRD, RS=RSH·NRS, RG=RSH·NRG, RB=RSH·NRB.

В последующем описании моделей МОП-транзисторов используются следующие физические константы:

EPS0=8,86·10
 Ф/м – абсолютная диэлектрическая проницаемость;

EPSox=3,9·EPS0 – диэлектрическая проницаемость оксида;

EPSsil=11,7·EPS0 – диэлектрическая проницаемость кремния;

q=1,60·10
 K – заряд электрона;

k=1,38·10
 Дж/
 – постоянная Больцмана;


Содержание  Назад  Вперед