Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


МОП-транзисторы - часть 3


/p>

Здесь Vdd – напряжение, при котором проводятся измерения (обычно оно равно напряжению питания).

 

При включении МОП-транзистора в схему можно указать значения  необязательных параметров (см. табл. 4.7).

 

Таблица 4.7

 

Обозначение

 Параметр

 Значение по умолчанию

Размерность

L

Длина канала DEFL

м

 

W

Ширина канала DEFW

м

 

AD

Площадь диффузионной области стока DEFAD

м

 

AS

Площадь диффузионной области истока DEFAS

м

 

PD

Периметр диффузионной области стока

0

м

PS

Периметр диффузионной области истока

0

м

NRD

Удельное относительное сопротивление стока

1

 

NRS

Удельное относительное сопротивление истока

1

 

NRG

Удельное относительное сопротивление затвора

0

 

NRB

Удельное относительное сопротивление подложки

0

 

M

Масштабный коэффициент

1

 

 

Сведения, общие для первых трех моделей МОП-транзистора. Часть параметров модели МОП-транзистора задается на входном языке программы PSpice - это параметры L, W, AD, AS, PD, PS, NRD, NRS, NRG, NRB и M (см. п. 3.2.6). При этом параметрам L, W, AD и AS устанавливаются значения по умолчанию с помощью директивы .OPTIONS. Очень удобен параметр M – в библиотеку моделей достаточно для каждой технологии занести параметры модели МОП-транзистора с длиной канала 1 мкм и затем учитывать изменение длины канала выбором величины M. Объемные сопротивления RD, RS, RG и RB задаются в явном виде либо вычисляются умножением удельного сопротивления RSH на NRD, NRS, NRG и NRB: RD=RSH·NRD, RS=RSH·NRS, RG=RSH·NRG, RB=RSH·NRB.

В последующем описании моделей МОП-транзисторов используются следующие физические константы:

EPS0=8,86·10

 Ф/м – абсолютная диэлектрическая проницаемость;

EPSox=3,9·EPS0 – диэлектрическая проницаемость оксида;

EPSsil=11,7·EPS0 – диэлектрическая проницаемость кремния;

q=1,60·10

 K – заряд электрона;

k=1,38·10

 Дж/
 – постоянная Больцмана;




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин