в схему можно указать значения
/p>
Здесь Vdd – напряжение, при котором проводятся измерения (обычно оно равно напряжению питания).
При включении МОП-транзистора в схему можно указать значения необязательных параметров (см. табл. 4.7).
Таблица 4.7
Обозначение
|
Параметр
|
Значение по умолчанию
|
Размерность
|
L
|
Длина канала DEFL
|
м
|
|
W
|
Ширина канала DEFW
|
м
|
|
AD
|
Площадь диффузионной области стока DEFAD
|
м
|
|
AS
|
Площадь диффузионной области истока DEFAS
|
м
|
|
PD
|
Периметр диффузионной области стока
|
0
|
м
|
PS
|
Периметр диффузионной области истока
|
0
|
м
|
NRD
|
Удельное относительное сопротивление стока
|
1
|
|
NRS
|
Удельное относительное сопротивление истока
|
1
|
|
NRG
|
Удельное относительное сопротивление затвора
|
0
|
|
NRB
|
Удельное относительное сопротивление подложки
|
0
|
|
M
|
Масштабный коэффициент
|
1
|
|
Сведения, общие для первых трех моделей МОП-транзистора. Часть параметров модели МОП-транзистора задается на входном языке программы PSpice - это параметры L, W, AD, AS, PD, PS, NRD, NRS, NRG, NRB и M (см. п. 3.2.6). При этом параметрам L, W, AD и AS устанавливаются значения по умолчанию с помощью директивы .OPTIONS. Очень удобен параметр M – в библиотеку моделей достаточно для каждой технологии занести параметры модели МОП-транзистора с длиной канала 1 мкм и затем учитывать изменение длины канала выбором величины M. Объемные сопротивления RD, RS, RG и RB задаются в явном виде либо вычисляются умножением удельного сопротивления RSH на NRD, NRS, NRG и NRB: RD=RSH·NRD, RS=RSH·NRS, RG=RSH·NRG, RB=RSH·NRB.
В последующем описании моделей МОП-транзисторов используются следующие физические константы:
EPS0=8,86·10
Ф/м – абсолютная диэлектрическая проницаемость;
EPSox=3,9·EPS0 – диэлектрическая проницаемость оксида;
EPSsil=11,7·EPS0 – диэлектрическая проницаемость кремния;
q=1,60·10
K – заряд электрона;
k=1,38·10
Дж/
– постоянная Больцмана;
Содержание Назад Вперед