Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center
Модели всех типов характеризуются нулевым
Статический режим МОП-транзистора. Модели всех типов характеризуются нулевым током затвора Ig=0 и током подложки
Ib = Ibs + Ibd,
где Ibs и Ibd – токи переходов подложка-исток и подложка–сток,
Ibs = Iss·[exp(Vbs/(N·Vt))-1],
Ibd = Ids·[exp(Vbd/(N·Vt))-1].
При задании нулевого значения одного из параметров JS, AS или AD принимают Iss=Ids=IS, в противном случае Iss=AS·JS+PS·JSSW, Ids=AD·JS+PD·JSSW. Ток стока Id=Ibd–Idrain, ток истока Is=Ibs+Idrain.
Ток Idrain определяется следующими соотношениями.
1. Для модели LEVEL=1 в нормальном режиме (Vds
где Beta=0,5·KP·W/L – крутизна проходной характеристики МОП-транзистора;
Пороговое напряжение положительно (отрицательно) в режиме обогащения и отрицательно (положительно) в режиме обеднения для транзистора с n-каналом (p-каналом).
Для области обратного смещения (Vds < 0)
где Vto = VTNOM+GAMMA·
Параметр LAMBDA характеризует наклон выходной характеристики транзистора в области насыщения. В соответствии с рис. 4.10 он определяется из уравнения
 Рис. 4.10. К определению параметра LAMBDA |
где Vd1=Vto+1 В, Vd2=Vto+3 В при Vgs=Vto+1 В.
Крутизна МОП-транзистора KP определяется в основном подвижностью носителей, толщиной и материалом подзатворного диэлектрика. Поскольку в модели первого уровня параметры технологического процесса игнорируются, задание значений TOX и UO не изменяет значение KP. По умолчанию KP=20 мкА/В
Параметры VTO, GAMMA и KP определяются из экспериментальных данных (рис. 4.11) по формулам
Аналитическая зависимость GAMMA от параметров материала приведена выше.
 Рис. 4.11. К определению параметров VTNOM, GAMMA и KP |
2. Для модели LEVEL=2 пороговое напряжение рассчитывается по более точной формуле Мейера
