учитывает соотношения геометрических размеров канала

Коэффициент

учитывает соотношения геометрических размеров канала и металлургической глубины перехода

Влияние ширины канала учитывается с помощью коэффициента

ETA=1+0,25

DELTA·(EPSsil/EPSox) ·TOX/W.

Температурная зависимость напряжения порога учитывается с помощью коэффициента

XN=1+q·10

·NFS·Cox + 0,5·

+ 0,25·[(PHI+Vds-Vbs)/

+ (PHI-Vbs)/

Выражения для тока стока Idrain здесь не приводятся из-за их сложности [33, 82].

3. Для модели LEVEL=3 используются полуэмпирические уравнения статических характеристик МОП-транзистора. Пороговое напряжение полагается равным

Vto = VTNOM-

·Vds+GAMMA·Fs·

+Fn·(PHI-Vbs)+Vt·XN,

где

= ETA·(8,15·10

)/Cox/(Leff)

- коэффициент статической обратной связи,

Fs – коэффициент, учитывающий влияние геометрии прибора на укорочение канала;

Fn=0,5·DELTA·

·EPSsil/Cox/W – коэффициент, учитывающий влияние ширины канала на пороговое напряжение;

XN=1+0,5·(GAMMA·Fs·

+Fn·(PHI-Vbs)/(PHI-Vbs)+

+ q·10

·NFS/Cox.

Эффективная подвижность носителей с учетом напряженности поля в канале равна

,

где

Напряжение насыщения определяется по формуле

VDsat =

,

где параметр

=(Vgs-Vto)/(1+Fb) учитывает увеличение напряженности поля в канале; параметр

учитывает ограничение скорости носителей в канале,

Fb = Fn+0,5·GAMMA·Fs/

.

Эффективная длина канала определяется соотношением

Leff =

где

A=KAPPA·(Vds-VDsat) ·

Ток Idrain определяется из выражений

3. Для уровня LEVEL=4 используется модель BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) – короткоканальная модель полевого транзистора с изолированным затвором, разработанная в Калифорнийском университете (г. Беркли). По сравнению с моделью первого уровня учитываются следующие эффекты [76]:

– зависимость подвижности носителей от вертикального поля;

– насыщение скорости носителей;

– зависимость порогового напряжения от напряжения стока;

Содержание Назад Вперед