напряжение питания, при котором измерялись

= X2MZ + X2U07Vbs,

U

= U1 + X2U1·Vbs + X3U1·(Vds - Vdd),

= ETA + X2E·Vbs + X3E· (Vds -Vdd),

где Vdd – напряжение питания, при котором измерялись параметры транзистора.

Зависимость параметра

от напряжений Vds и Vbs аппроксимируется квадратичным полиномом, коэффициенты которого определяются на основании расчета m0 при Vds=0 и Vds=Vdd по формулам:

= MUZ + X2MZ·Vbs,

= MUS + X3MS·Vbs.

Динамические свойства МОП-транзистора. Они учтены включением в модель емкости обедненного слоя подложка– исток Cbs и емкости обедненного слоя подложка– сток Cbd. Эти емкости складываются из емкости данной поверхности и боковой поверхности переходов. Если параметры CBS и CBD не заданы (по умолчанию они полагаются равными нулю), то эти емкости рассчитываются по формулам

Cbs = AS·CJ·Cbsj+PS·CJSW·Cbss+TT·Gbs;

Cbd = AD·CJ·Cbdj+PD·CJSW·Cbds+TT·Gds.

В противном случае (т.е. при заданных абсолютных значениях CBS и CBD)

Cbs = CBS·Cbsj+PS·CJSW·Cbss+TT·Gbs;

Cbd = CBD·Cbdj+PD·CJSW·Cbds+TT·Gds,

где Gbs=dIbs/dVbs, Gds=dIbd/dVbd – дифференциальные проводимости в окрестности рабочей точки.

Скалярные множители, отражающие зависимость барьерных емкостей от напряжений смещения, рассчитываются следующим образом:

при Vbs

FC·PB

Cbsj = (1-Vbs/PB)

;

Cbss = (1-Vbs/PBSW)

;

при Vbs>FC·PB

Cbsj = (1-FC)

·[1-FC·(1+MJ)+MJ·Vbs/PB];

Cbss = (1-FC)

·[1-FC·(1+MJSW)+MJSW·Vbs/PBSW];

при V

FC·PB

Cbdj = (1-Vbd/PB)

;

Cbds = (1-Vbd/PBSW)

;

при Vbd>FC·PB

Cbdj = (1-FC)

·[1-FC·(1+MJ)+MJ·Vbd/PB];

Cbds = (1-FC)

·[1-FC·(1+MJSW)+MJSW·Vbd/PBSW].

Емкости затвор– исток, затвор– сток и затвор– подложка рассчитываются по формулам Cgs=CGSO·W, Cgd=CGDO·W, Cbd=CGBO·L.

Температурные зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МОП-транзистора учитываются с помощью следующих выражений:

IS(T)=IS·exp{[EG(Tnom) ·T/Tnom-EG(T)]/Vt};

JS(T)=JS·exp{[EG(Tnom) ·T/Tnom-EG(T)]/Vt};

Содержание Назад Вперед