МОП-транзисторы - часть 8
U

U


где Vdd – напряжение питания, при котором измерялись параметры транзистора.
Зависимость параметра



Динамические свойства МОП-транзистора. Они учтены включением в модель емкости обедненного слоя подложка– исток Cbs и емкости обедненного слоя подложка– сток Cbd. Эти емкости складываются из емкости данной поверхности и боковой поверхности переходов. Если параметры CBS и CBD не заданы (по умолчанию они полагаются равными нулю), то эти емкости рассчитываются по формулам
Cbs = AS·CJ·Cbsj+PS·CJSW·Cbss+TT·Gbs;
Cbd = AD·CJ·Cbdj+PD·CJSW·Cbds+TT·Gds.
В противном случае (т.е. при заданных абсолютных значениях CBS и CBD)
Cbs = CBS·Cbsj+PS·CJSW·Cbss+TT·Gbs;
Cbd = CBD·Cbdj+PD·CJSW·Cbds+TT·Gds,
где Gbs=dIbs/dVbs, Gds=dIbd/dVbd – дифференциальные проводимости в окрестности рабочей точки.
Скалярные множители, отражающие зависимость барьерных емкостей от напряжений смещения, рассчитываются следующим образом:
при Vbs

Cbsj = (1-Vbs/PB)

Cbss = (1-Vbs/PBSW)

при Vbs>FC·PB
Cbsj = (1-FC)

Cbss = (1-FC)

при V

Cbdj = (1-Vbd/PB)

Cbds = (1-Vbd/PBSW)

при Vbd>FC·PB
Cbdj = (1-FC)

Cbds = (1-FC)

Емкости затвор– исток, затвор– сток и затвор– подложка рассчитываются по формулам Cgs=CGSO·W, Cgd=CGDO·W, Cbd=CGBO·L.
Температурные зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МОП-транзистора учитываются с помощью следующих выражений:
IS(T)=IS·exp{[EG(Tnom) ·T/Tnom-EG(T)]/Vt};
JS(T)=JS·exp{[EG(Tnom) ·T/Tnom-EG(T)]/Vt};
