номинальная температура, при которой измерены

JSSW(T)=JSSW·exp{[EG(Tnom) ·T/Tnom-EG(T)]/Vt};

PB(T)=PB·T/Tnom-3Vt·ln(T/Tnom)-EG(Tnom) ·T/Tnom+EG(T);

PBSW(T)=PBSW·T/Tnom-3Vt·ln(T/Tnom)-EG·T/Tnom+EG(T);

PHI(T)=PHI·T/Tnom-3Vt·ln(T/Tnom)-EG(Tnom) ·T/Tnom+EG(T);

EG(T) = 1,16-0,000702·T

/(T+1108);

CBD(T)=CBD{1+MJ [0,0004 (T-Tnom)+1-PB(T)/PB]};

CBS(T)=CBS{1+MJ [0,0004(T-Tnom)+1-PB(T)/PB]};

CJ(T)=CJ{1+MJ [0,0004 (T-Tnom)+1-PB(T)/PB]};

CJSW(T)=CJSW{1+MJSW [0,0004 (T-Tnom)+1-PB(T)/PB]};

KP(T)=KP(T/Tnom)

; UO(T)=UO·(T/Tnom)

;

KF(T)=KF·PB(T)/PB; AF(T)=AF·PB(T)/PB,

где Tnom – номинальная температура, при которой измерены параметры транзистора; T – текущая температура.

Линейная схема замещения МОП-транзистора. На рис. 4.9, б она приведена с источниками внутренних шумов. Тепловые шумы Iш

, Iш

, создаваемые резисторами RS, RG, RB

и RD, имеют спектральные плотности S

=4kT/RS, S

=4kT/RG, S

=4kT/RB, S

=4kT/RD.

Источник тока Iшd, характеризующий дробовой и фликкер-шум, имеет спектральную плотность

S

= 8kT·Gm/3 + KF·(Idrain)

/(f·Kchan),

где Gm = dIdrain/dVgs

– дифференциальная проводимость в рабочей точке по постоянному току; Kchan=(Leff)

·EPSsil/TOX.

В качестве примера приведем описание модели МОП-транзистора IRF140, используя модель третьего типа

.model IRF140 NMOS (LEVEL=3 GAMMA=0 DELTA=0 ETA=0

+   THETA=0 KAPPA=0 VMAX=0 XJ=0 TOX=100n UO=600

+   PHI=.6 RS=46.07m KP=20.83u W=1.1 L=2u VTO=3.691

+   RD=8.065m RDS=400K CBD=2.329n PB=.8 MJ=.5 FC=.5

+   CGSO=2.208n CGDO=773.2p RG=1.927 IS=12.11f)

Обратим внимание, что при включении этого МОП-транзистора в описание схемы на входном языке программы PSpice (см. п. 3.2.6) нельзя указывать значения параметров L, W, AD, AS, PD, PS, NRD и NRS, так как часть из них уже приведена по директиве .MODEL, а для остальных использованы значения по умолчанию.

Параметры модели LEVEL=1 типичного КМОП-транзистора с кремниевым затвором при длине канала 3 мкм приведены в табл. 4.8.

Таблица 4.8

Содержание  Назад  Вперед