Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 2


/p>

Поясним принцип работы с Parts на примере создания модели диода. Сначала по команде File/Open/Create Library указывается имя файла библиотеки моделей диодов (если такого файла не существует, то создается новый файл с расширением имени .lib). Далее по команде Part/New (или выбором пиктограммы

) вводится имя модели диода и в предлагаемом списке типов моделей указывается его тип  DIODE. Доступны следующие типы моделей:

CORE – магнитный сердечник;

DIODE – диод;

NMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом n-типа;

NPN TRANSISTOR – биполярный n–p–n-транзистор;

OPAMP – операционный усилитель;

PJF – полевой транзистор с каналом p-типа;

PMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом p-типа;

PNP TRANSISTOR – биполярный p–n–p-транзистор;

VOLT. COMPARATOR – компаратор напряжения;

VOLT. REFERENCE – стабилизатор напряжения;

VOLT. REGULATOR – регулятор напряжения.

К введенному в панели Name имени встроенной модели программа добавляет префикс в соответствии с типом модели: к имени диода – букву D, биполярного транзистора – Q, полевого транзистора – J, МОП-транзистора – M, магнитного сердечника – K.  Например, если ввести имя модели диода 520A, то программа Parts присоединит к нему префикс D и в библиотеку будет занесена модель D520A. К именам макромоделей, к которым относятся операционные усилители, компараторы, регуляторы и стабилизаторы напряжения, префикс не добавляется.

Рис. 7.19. Экран ввода паспортных данных

После ввода имени и типа модели на экран выводится список параметров модели (рис. 7.19). В левой части экрана приведен перечень спецификаций паспортных данных, в правой – перечень параметров математической модели, рассчитанной на основе введенных паспортных данных. Первоначально всем параметрам модели присваиваются значения по умолчанию.

Паспортные данные вводятся порциями на отдельных экранах в двух режимах:

1) в режиме Device curve вводятся по точкам координаты характеристики, например ВАХ диода, зависимость барьерной емкости p–n-перехода от напряжения смещения и т.


Начало  Назад  Вперед