Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center




Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 4


Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Parts; им по умолчанию присваиваются типичные значения (на экране программы Probe в окне Parameters

эти переменные помечены как Fixed).

Диоды. Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.9.

Таблица 7.9

Символы данных

 Справочные данные

Параметры модели

(Parameters)

Имя                  Значение

 

Прямая ветвь ВАХ

 

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS

10

 А

RS

0,1 Ом

N

1

IKF

0

XTI*

3

EG*

1,11 В

Барьерная емкость

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO

VJ

1 пФ

0,75 B

M

0,3333

FC*

0,5 B

Сопротивление утечки

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR

NR

100 пA

2

Напряжение стабилизации

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV

IBV

100 В

100 мкA

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Рассасывание носителей заряда

Trr

Время рассасывания носителей заряда

TT

5 нс

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы. В табл. 7.10 приведены паспортные данные биполярного транзистора (NPN или PNP TRANSISTOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.




Содержание  Назад  Вперед