Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center
Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 4
Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Parts; им по умолчанию присваиваются типичные значения (на экране программы Probe в окне Parameters
эти переменные помечены как Fixed).
Диоды. Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.9.
Таблица 7.9
|
Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели (Parameters) Имя Значение |
|
|
|
Прямая ветвь ВАХ |
|
|||
|
Vfwd, Ifwd |
Координаты точек ВАХ диода |
IS |
10  |
|
|
RS |
0,1 Ом |
|||
|
N |
1 |
|||
|
IKF |
0 |
|||
|
XTI* |
3 |
|||
|
EG* |
1,11 В |
|||
|
Барьерная емкость |
||||
|
Vrev, Cj |
Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения |
CJO VJ |
1 пФ 0,75 B |
|
|
M |
0,3333 |
|||
|
FC* |
0,5 B |
|||
|
Сопротивление утечки |
||||
|
Vrev, Irev |
Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения |
ISR NR |
100 пA 2 |
|
|
Напряжение стабилизации |
||||
|
Vz |
Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz |
BV IBV |
100 В 100 мкA |
|
|
Iz |
Ток пробоя (стабилизации) |
|||
|
Zz |
Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz) |
|||
|
Рассасывание носителей заряда |
||||
|
Trr |
Время рассасывания носителей заряда |
TT |
5 нс |
|
|
Ifwd |
Ток диода в прямом направлении до переключения |
|||
|
Irev |
Обратный ток диода после переключения |
|||
|
Rl |
Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора) |
|||
Биполярные транзисторы. В табл. 7.10 приведены паспортные данные биполярного транзистора (NPN или PNP TRANSISTOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.