Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 4


Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Parts; им по умолчанию присваиваются типичные значения (на экране программы Probe в окне Parameters

эти переменные помечены как Fixed).

Диоды. Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.9.

 

Таблица 7.9

Символы данных

 Справочные данные

Параметры модели

(Parameters)

Имя                  Значение

 

Прямая ветвь ВАХ

 

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS

10

 А

 

 

RS

0,1 Ом

 

 

N

1

 

 

IKF

0

 

 

XTI*

3

 

 

EG*

1,11 В

Барьерная емкость

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO

VJ

1 пФ

0,75 B

 

 

M

0,3333

 

 

FC*

0,5 B

Сопротивление утечки

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR

NR

100 пA

2

Напряжение стабилизации

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV

IBV

100 В

100 мкA

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

 

 

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

 

 

Рассасывание носителей заряда

Trr

Время рассасывания носителей заряда

TT

5 нс

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

 

 

Irev

Обратный ток диода после переключения

 

 

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

 

 

 

Биполярные транзисторы. В табл. 7.10 приведены паспортные данные биполярного транзистора (NPN или PNP TRANSISTOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин