Полевые транзисторы.
Паспортные данные полевого транзистора (NJF или PJF), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.11.
Таблица 7.11
Символы данных |
Справочные данные (Model Spec.) |
Параметры модели (Parameters) Имя Значение |
|
Передаточная проводимость |
|||
Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id |
BETA BETATCE* |
0,001 –0,5 |
RS |
1 Ом |
||
RD |
1 Oм |
||
Выходная проводимость |
|||
Id, gOS |
Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id |
LAMBDA |
0,01 |
Проходная характеристика |
|||
Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В |
VTO VTOTC* |
–2,5 В –0,0025 |
Проходная емкость |
|||
Vgs, Crss |
Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=0 |
CGD M PB FC* |
1 пФ 0,3333 1 0,5 |
Входная емкость |
|||
Vgs, Ciss |
Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В |
CGS |
1 пФ |
Ток утечки затвора в пассивном режиме |
|||
Vdg, Igss |
Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток–затвор Vdg |
IS |
10 ![]() |
ISR |
10 ![]() |
||
N |
1 |
||
NR |
2 |
||
XTI* |
3 |
||
Ток утечки затвора в активном режиме |
|||
Vdg, Ig |
Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток–затвор Vdg. Ток стока Id=1 мА |
ALPHA VK |
10 ![]() 100 В |
Уровень внутреннего шума |
|||
Freq, en |
Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу. Ток стока Id=1 мА |
KF AF* |
10 ![]() 1 |
Мощные МОП-транзисторы. В табл. 7.12 приведены паспортные данные мощного МОП-транзистора (PWR MOSFET), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL=3), которые рассчитываются в программе.