Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 6
/p>
Полевые транзисторы.
Паспортные данные полевого транзистора (NJF или PJF), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.11.
Таблица 7.11
|
Символы данных |
Справочные данные (Model Spec.) |
Параметры модели (Parameters) Имя Значение |
|
|
Передаточная проводимость |
|||
|
Id, gFS |
Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id |
BETA BETATCE* |
0,001 –0,5 |
|
|
|
RS |
1 Ом |
|
|
|
RD |
1 Oм |
|
Выходная проводимость |
|||
|
Id, gOS |
Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id |
LAMBDA |
0,01 |
|
Проходная характеристика |
|||
|
Vgs, Id |
Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В |
VTO VTOTC* |
–2,5 В –0,0025 |
|
Проходная емкость |
|||
|
Vgs, Crss |
Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=0 |
CGD M PB FC* |
1 пФ 0,3333 1 0,5 |
|
Входная емкость |
|||
|
Vgs, Ciss |
Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В |
CGS |
1 пФ |
|
Ток утечки затвора в пассивном режиме |
|||
|
Vdg, Igss |
Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток–затвор Vdg |
IS |
10  |
|
|
|
ISR |
10  |
|
|
|
N |
1 |
|
|
|
NR |
2 |
|
|
|
XTI* |
3 |
|
Ток утечки затвора в активном режиме |
|||
|
Vdg, Ig |
Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток–затвор Vdg. Ток стока Id=1 мА |
ALPHA VK |
10  100 В |
|
Уровень внутреннего шума |
|||
|
Freq, en |
Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу. Ток стока Id=1 мА |
KF AF* |
10  1 |
Мощные МОП-транзисторы. В табл. 7.12 приведены паспортные данные мощного МОП-транзистора (PWR MOSFET), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL=3), которые рассчитываются в программе.