Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Программа расчета параметров моделей компонентов Parts - часть 6


/p>

 

Полевые транзисторы.

Паспортные данные полевого транзистора (NJF или PJF), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.11.

 

Таблица 7.11

 

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя                   Значение

Передаточная проводимость

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

BETA

BETATCE*

0,001

–0,5

 

 

RS

1 Ом

 

 

RD

1 Oм

Выходная проводимость

Id, gOS

Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id

LAMBDA

0,01

Проходная характеристика

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В

VTO

VTOTC*

–2,5 В

–0,0025

Проходная емкость

Vgs, Crss

Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=0

CGD

M

PB

FC*

1 пФ

0,3333

1

0,5

Входная емкость

Vgs,  Ciss

Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В

CGS

1 пФ

Ток утечки затвора в пассивном режиме

Vdg, Igss

Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток–затвор Vdg

IS

10

 А

 

 

ISR

10

 А

 

 

N

1

 

 

NR

2

 

 

XTI*

3

Ток утечки затвора в активном режиме

Vdg,  Ig

Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток–затвор Vdg. Ток стока Id=1 мА

ALPHA

 VK

10

100 В

Уровень внутреннего шума

Freq, en

Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу. Ток стока Id=1 мА

KF

AF*

10

 

1

Мощные МОП-транзисторы. В табл. 7.12 приведены паспортные данные мощного МОП-транзистора (PWR MOSFET), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL=3), которые рассчитываются в программе.




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин