Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center

         

Программа расчета параметров моделей компонентов Parts


Программа Parts рассчитывает по паспортным данным параметры моделей полупроводниковых приборов (диодов, биполярных, полевых  и мощных МОП-транзисторов), макромоделей операционных усилителей, компараторов напряжения, регуляторов напряжения, стабилизаторов напряжения и моделей магнитных сердечников. Математическое описание этих моделей дано в гл. 4, 5.

Математические модели компонентов записываются в библиотечные файлы с расширением имени .lib (примеры приведены в Приложении 4). При желании можно составить файлы отдельных моделей, имеющие расширение имени .mod. Помимо параметров математических моделей в эти файлы заносится также протокол ввода паспортных данных, так что при уточнении отдельных параметров нет необходимости вводить заново все паспортные данные. В файлах отлаженных библиотек протокол паспортных данных обычно удаляется, чтобы уменьшить объем файлов, сделать их удобочитаемыми.

Программа Parts вызывается щелчком мыши по одноименной пиктограмме. Она управляется с помощью команд ниспадающего меню. Кроме того, имеется набор пиктограмм для быстрого вызова наиболее употребительных подкоманд (см. табл. 7.7).

Таблица 7.7



Пиктограмма

Эквивалентная команда

Пиктограмма

Эквивалентная команда

Part/New

View/Out

Part/Get

View/Area

Part/Save

View/Fit

Plot/Display

Plot/X Axis Settings/Linear (Log)

Немедленный вывод на принтер

Plot/Y Axis Settings/Linear (Log)

View/In

Extract/Parameters

Краткое описание команд программы Parts приведено в табл. 7.8.

Таблица 7.8

Команда

  Назначение

Меню File

Open/Create Library...

(Ctrl+F)

Загрузка/создание файла библиотеки моделей для последующего редактирования

Save Library (Ctrl+S)

Сохранение внесенных изменений в текущей библиотеке

Save As Library...

Сохранение внесенных изменений в новом библиотечном файле, имя которого указывается по дополнительному запросу

Print...  (Ctrl+H)

Печать графиков одного или нескольких окон

Page Setup...

Настройка параметров страницы

Printer Select...

Выбор типа принтера

Log Commands...

Включение/выключение режима составления файла протокола команд (расширение имени .cmd)

Run Commands...

Выполнение файла протокола команд

Exit  (Alt+F4)

Завершение работы с графическим редактором

Файл 1, ... , Файл 4

Список последних четырех загруженных файлов

Меню  Edit

Cut  (Ctrl+X, Del)

Удаление одного из дополнительных графиков (для выбора графика курсором отмечается его имя)

Parameter (Ctrl+R, двойной щелчок по имени параметра)

Редактирование выбранного параметра модели (расположены в правом списке основного окна).  Возможно задание диапазона допустимых значений параметра (Upper, Lower). Щелчок по панели  Freez current value from extraction не позволяет изменять введенное значение параметра в процессе обработки паспортных данных

Spec  (Ctrl+O, двойной щелчок по названию спецификации)

Редактирование выбранной  спецификации паспортных данных компонента (расположены в левом списке основного окна)

Меню Part

New...

Создание новой модели компонента: указывается имя модели на строке Part Name  и выбирается ее тип из списка  Select Part Type

Copy...  (Ctrl+C)

Копирование параметров существующей модели из выбранной библиотеки под новым именем в текущую библиотеку

Get...  (Ctrl+G)

Загрузка параметров выбранной модели из текущей библиотеки

Save

Сохранение в библиотеке параметров текущей модели

IBIS transistor  (Ctrl+B)

Трансляция модели формата IBIS (из файла с расширением имени .ibs) в формат PSpice

Export...

Запись параметров текущей модели в отдельный текстовый файл .mod

Import...

Импортирование в библиотеку параметров модели из текстового файла .mod

Меню Trace

Add...  (Ctrl+T)

Добавление графика в текущем окне. По умолчанию предлагается построить график при другом значении температуры. Имя варьируемого параметра изменяется по команде Plot/X Axis Settings/Trace Variable

Меню Plot

Display  (Ctrl+D)

Построение графика, соответствующего выбранной спецификации

X Axis Settings...

Задание диапазонов значений по оси X:

 

Data Range

Диапазон изменения

 

Linear

Линейная шкала

 

Log

Логарифмическая шкала

 

Trace Variable

Выбор имени независимой переменной

Y Axis Settings...

Задание диапазонов значений по оси Y:

Data Range

Диапазон изменения (Auto –  выбираемый автоматически, User  Defined – назначаемый пользователем) 

Linear

Линейная шкала

Log

Логарифмическая шкала

Меню View

Fit  (Ctrl+N)

Изменение масштаба изображения так, чтобы на полном экране разместились все имеющиеся на схеме компоненты, проводники и соединители

In  (Ctrl+I)

Увеличение масштаба изображения (центр поля зрения указывается курсором). Степень увеличения назначается с помощью параметра ZOOMFACTOR в файле msim.ini

Out  (Ctrl+O)

Уменьшение масштаба изображения (центр поля зрения указывается курсором)

Area  (Ctrl+A)

Вывод на весь экран окаймленной части изображения

Previous

Возвращение к предыдущему масштабу изображения

Entire Page

Вывод на экран полного изображения страницы схемы, размер которой задан по команде Option/Page Size

Redraw  (Ctrl+L)

Перечерчивание экрана

Pan–New Center

Расположение схемы симметрично относительно точки расположения курсора без изменения масштаба

Меню Extract

Parameters  (Ctrl+E)

Расчет параметров математической модели на основании введенных паспортных данных

Меню Options

Toolbar

Выключение/включение линейки пиктограмм

Меню Window

Close

Закрытие текущего окна

Arrange...

Упорядочение размещения открытых окон

1 <заголовок окна>

Список открытых окон

.    .    .    .

[9 <заголовок окна>]

[Дополнительные окна]

Меню Help

 

Index

Вывод списка разделов встроенной инструкции

Keyboard

Вывод списка назначений функциональных клавиш и комбинаций клавиш

Menu Commands

Вывод инструкции о всех командах

Using Help

Вывод кратких указаний по работе со встроенной инструкцией

About...

Вывод номера версии программы и ее регистрационного номера

<


Поясним принцип работы с Parts на примере создания модели диода. Сначала по команде File/Open/Create Library указывается имя файла библиотеки моделей диодов (если такого файла не существует, то создается новый файл с расширением имени .lib). Далее по команде Part/New (или выбором пиктограммы
) вводится имя модели диода и в предлагаемом списке типов моделей указывается его тип  DIODE. Доступны следующие типы моделей:

CORE – магнитный сердечник;

DIODE – диод;

NMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом n-типа;

NPN TRANSISTOR – биполярный n–p–n-транзистор;

OPAMP – операционный усилитель;

PJF – полевой транзистор с каналом p-типа;

PMOS (PWR MOSFET) – мощный МОП-транзистор с каналом p-типа;

PNP TRANSISTOR – биполярный p–n–p-транзистор;

VOLT. COMPARATOR – компаратор напряжения;

VOLT. REFERENCE – стабилизатор напряжения;

VOLT. REGULATOR – регулятор напряжения.

К введенному в панели Name имени встроенной модели программа добавляет префикс в соответствии с типом модели: к имени диода – букву D, биполярного транзистора – Q, полевого транзистора – J, МОП-транзистора – M, магнитного сердечника – K.  Например, если ввести имя модели диода 520A, то программа Parts присоединит к нему префикс D и в библиотеку будет занесена модель D520A. К именам макромоделей, к которым относятся операционные усилители, компараторы, регуляторы и стабилизаторы напряжения, префикс не добавляется.





Рис. 7.19. Экран ввода паспортных данных

После ввода имени и типа модели на экран выводится список параметров модели (рис. 7.19). В левой части экрана приведен перечень спецификаций паспортных данных, в правой – перечень параметров математической модели, рассчитанной на основе введенных паспортных данных. Первоначально всем параметрам модели присваиваются значения по умолчанию.

Паспортные данные вводятся порциями на отдельных экранах в двух режимах:

1) в режиме Device curve вводятся по точкам координаты характеристики, например ВАХ диода, зависимость барьерной емкости p–n-перехода от напряжения смещения и т.


п.  (рис. 7.20, а). На экране одновременно помещаются координаты 10 точек; если их больше, то появляется линейка прокрутки. Координаты новой точки вводятся по команде Add. Эти данные рекомендуется вводить в порядке возрастания независимой переменной. Ввод точек завершается командой OK. По команде Plot/Display (или выбором пиктограммы
)  на экране вычерчивается аппроксимирующая функция и значками отмечаются введенные точки, на основании которых она построена;

2) в режиме Device data вводятся значения отдельных параметров устройства (рис. 7.20, б).





Рис. 7.20. Ввод координат графиков (а) и значений отдельных параметров (б)
На основании порции введенных данных программа Parts по команде Extract/Parameters (или после выбора пиктограммы
) рассчитывает ряд параметров математической модели, которые отображаются на графике. Переход из режима отображения графиков в режим ввода параметров выполняется по команде Window/Close.

Вызов панели ввода данных осуществляется двойным щелчком на имени их спецификации в левой части изображенного на рис. 7.19 экрана. Редактирование значения отдельных параметров математической модели выполняется после двойного щелчка по его имени в правой части этого экрана. При вводе данных можно пользоваться масштабными множителями, указанными в разд. 3.1.

 По команде Trace/Add  возможно построить семейство характеристик при вариации температуры или других параметров модели. По умолчанию предлагается построить графики характеристик при изменении температуры (рис. 7.21). Однако по команде Plot/X Axis Settings/Trace Variable  можно изменить имя варьируемой переменной. Например, для диодов возможна вариация параметров IS, N, RS, IKF, EG и XTI.





Рис. 7.21. Построение температурных зависимостей
 

Построение модели завершается командой записи обновленных данных в библиотечный файл File/Save Library.

Далее приведем списки вводимых паспортных данных для всех типов компонентов, включенных в программу Parts, и перечень параметров их математических моделей.


Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Parts; им по умолчанию присваиваются типичные значения (на экране программы Probe в окне Parameters

эти переменные помечены как Fixed).

Диоды. Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.9.

Таблица 7.9

Символы данных

 Справочные данные

Параметры модели

(Parameters)

Имя                  Значение

 
Прямая ветвь ВАХ

 
Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS

10
 А

RS

0,1 Ом

N

1

IKF

0

XTI*

3

EG*

1,11 В

Барьерная емкость

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO

VJ

1 пФ

0,75 B

M

0,3333

FC*

0,5 B

Сопротивление утечки

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR

NR

100 пA

2

Напряжение стабилизации

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV

IBV

100 В

100 мкA

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Рассасывание носителей заряда

Trr

Время рассасывания носителей заряда

TT

5 нс

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы. В табл. 7.10 приведены паспортные данные биполярного транзистора (NPN или PNP TRANSISTOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.



Таблица 7.10

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя               Значение

Напряжение на p–n-переходе

Vbe

Смещение база–эмиттер в режиме насыщения

IS

 XTI*

10
 А

3

Vce

Смещение коллектор–эмиттер в режиме насыщения

EG*

1,11 B

Ib

Ток базы при заданных Vbe, Vce

 

Ib%

Доля тока коллектора, протекающего через диод коллектор–база с идеальной характеристикой (по умолчанию 80%)

Выходная проводимость

Ic, hoe

Зависимость выходной проводимости при холостом ходе на выходе hoe от тока коллектора Ic

VAF 

100 B

Vce

Смещение коллектор–эмиттер Vce=5 В

Статический коэффициент передачи по току

Ic, hFE

Зависимость статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ в нормальном режиме hFE от тока коллектора Ic

BF

NE

ISE

100

 1,5

0

Измерения проводились при смещении коллектор–эмиттер Vce=1 В

XTB*

NK*

1,5

0,5

Напряжение насыщения коллектор–эмиттер

Ic,  Vce

Зависимость напряжения насыщения коллектор–эмиттер Vce от тока коллектора Ic

BR

NC

ISC

1

2

0

Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

IKR

RC

0

0

Барьерная емкость коллектор–база

Vcb, Cobo

Зависимость выходной емкости Cobo в режиме холостого хода на выходе от напряжения обратного смещения коллектор–база Vcb

CJC

VJC

MJC

FC*

2 пФ

0,75 B

0,3333

0,5

Барьерная емкость эмиттер–база

Veb, Cibo

Зависимость входной емкости Cibo в режиме холостого хода на входе от напряжения обратного смещения эмиттер–база Veb

CJE

VJE

MJE

5 пФ

0,75 B

0,3333

Время рассасывания заряда

Ic, ts

Зависимость времени рассасывания ts от тока коллектора Ic. Отношение тока коллектора к току базы в режиме насыщения Ic/Ib=10

TR

10 нс

Площадь усиления

Ic, fT

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока fT в схеме с ОЭ от тока коллектора Ic. Смещение коллектор–эмиттер Vce=10 В

TF

ITF

XTF

VTF*

1 нс

 1

0

10 В

<


Полевые транзисторы.

Паспортные данные полевого транзистора (NJF или PJF), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.11.

Таблица 7.11

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя                   Значение

Передаточная проводимость

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

BETA

BETATCE*

0,001

–0,5

RS

1 Ом

RD

1 Oм

Выходная проводимость

Id, gOS

Зависимость выходной проводимости gOS от тока стока Id

LAMBDA

0,01

Проходная характеристика

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В

VTO

VTOTC*

–2,5 В

–0,0025

Проходная емкость

Vgs, Crss

Зависимость проходной емкости Crss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=0

CGD

M

PB

FC*

1 пФ

0,3333

1

0,5

Входная емкость

Vgs,  Ciss

Зависимость входной емкости Ciss от смещения затвор–исток Vgs. Смещение сток–исток Vds=15 В

CGS

1 пФ

Ток утечки затвора в пассивном режиме

Vdg, Igss

Зависимость тока утечки затвора Igss от смещения сток–затвор Vdg

IS

10
 А

ISR

10
 А

N

1

NR

2

XTI*

3

Ток утечки затвора в активном режиме

Vdg,  Ig

Зависимость тока утечки затвора Ig от смещения сток–затвор Vdg. Ток стока Id=1 мА

ALPHA

 VK

10


100 В

Уровень внутреннего шума

Freq, en

Зависимость от частоты эквивалентной спектральной плотности напряжения шума, приведенного ко входу. Ток стока Id=1 мА

KF

AF*

10
 

1



Мощные МОП-транзисторы. В табл. 7.12 приведены паспортные данные мощного МОП-транзистора (PWR MOSFET), вводимые пользователем, и список параметров его математической модели третьего уровня (LEVEL=3), которые рассчитываются в программе.



Таблица 7.12

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя              Значение

Передаточная проводимость

Id, gFS

Зависимость проводимости прямой передачи gFS от тока стока Id

RS

KP

W

 L

20·10


20·10


0,5

2·10


Проходная характеристика

Vgs, Id

Зависимость тока стока Id от смещения затвор–исток Vgs

VTO

3 В

Сопротивление канала в состоянии “включено”

Rds, Id

Зависимость статического сопротивления сток–исток Rds от тока истока Id. Смещение затвор–исток Vds=10 В

 RD

10
 Ом

Сопротивление утечки канала при нулевом смещении на затворе

Idss

Ток стока при нулевом потенциале затвора и напряжении Vds

RDS

1 МОм

Vds

Смещение сток–исток при измерении тока Idss

Объемный заряд в состоянии “включено”

Qgd

Общий заряд области затвора

CGSO

40 пФ

Qgs

Заряд области затвор–исток, необходимый для переключения

CGDO

10 пФ

Vds

Постоянный потенциал истока (по умолчанию 50 В)

Id

Ток стока (по умолчанию 50 А)

Выходная емкость

Vds

Смещение сток–исток при измерениях емкостей

CBD

1 нФ

Coss

Выходная емкость

PB

0,8 В

MJ

0,5

FC*

0,5

Время переключения

tf

Время переключения

RG

5 Ом

Id

Ток стока

Vdd

Постоянный потенциал истока (по умолчанию 20 В)

Zo

Выходное сопротивление генератора импульсного напряжения (по умолчанию 5 Ом)

Ток стока  в инверсном режиме

Vsd, Idr

Зависимость напряжения прямого смещения перехода исток–сток Vsd от обратного тока стока Idr

IS

N

RB

10
 A

1

10
 Ом

Расчет параметров математических моделей отечественных МОП-транзисторов с помощью программы Parts затруднен ввиду того, что в паспортных данных отсутствуют значения зарядов Qg, Qgs.



Операционные усилители. После выбора в начальном меню программы Parts режима OPAMP необходимо по запросам программы  указать тип транзистора входного каскада и наличие внутренней/внешней коррекции (см. рис. 5.1):

Technology  – BJT (биполярный транзистор) или JFET (полевой транзистор);

Input –  NPN или PNP (для биполярного транзистора) и n-channel или  p-channel (для полевого транзистора);

Compensation – Internally (внутренняя) или Externally (внешняя коррекция).

В табл. 7.13 приведены паспортные данные ОУ, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе.

Таблица 7.13

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя          Значение

Параметры для большого сигнала

+Vpwr

Напряжение источника положительного напряжения (15 В)

VC

VE

2 В

 2 В

–Vpwr

Напряжение источника отрицательного напряжения (–15 В)

+Vout

Максимальное значение выходного напряжения положительной полярности (13 В)

–Vout

Максимальное значение выходного напряжения отрицательной полярности (–13 В)

+SR

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения положительной полярности (500·10
 В/с)

–SR

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения отрицательной полярности (500·10
 В/с)

Pd

Потребляемая мощность в статическом режиме (50 мВт)

Коэффициент усиления без цепи обратной связи (входной каскад на БТ)

 Cc

Емкость коррекции (30 пФ)

BF   

75

Ib

Входной ток смещения (100 нА)

C2  

30 пФ

Av-dc

Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)

CEE

GA

0

189·10


f-0db

Частота единичного усиления (1 МГц)

GCM

1,9·10


CMRR

Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)

IEE

RC

15·10
 

5305

RE

1832

REE 

13810

RP

18160

Коэффициент усиления без цепи обратной связи (входной каскад на ПТ)

Cc

Емкость коррекции (10 пФ)

BETA

789·10
 

Ib

Входной ток смещения (30 пА)

C2

10 пФ

Av-dc

Коэффициент усиления постоянного напряжения (200 тыс.)

CSS

GA

0

63·10


f-0db

Частота единичного усиления (1 МГц)

GCM

63·10
 

CMRR

Коэффициент подавления синфазного сигнала (100 тыс.)

IS

ISS

15·10
 

5·10


RD

15,9

RSS

40·10


RP

18000

Фазочастотная характеристика без цепи обратной связи

Phi

Запас по фазе на частоте единичного усиления, град. (60
)

C1

8,6 пФ

Предельные значения выходных сопротивлений

Ro-dc

Выходное сопротивление на низких частотах (75 Ом)

R01

R02

50 Ом

25 Ом

Ro-ac

Выходное сопротивление на высоких частотах (50 Ом) 

GB

424,4

Ios

Максимальный ток короткого замыкания (20 мА)

<




Замечания. 1. По умолчанию параметрам математической модели присваиваются значения параметров конкретных ОУ. Выше для конкретности приведены параметры модели ОУ  140УД7 (аналог
A741) [9, 38].

2. Частота единичного усиления f-0db  связана с частотой первого полюса f
 соотношением  f-0db=f
· Av-dc . Запас по фазе Phi на частоте единичного усиления определяется отношением частоты единичного усиления к частоте второго полюса f


Phi = 90
 – arctg (f-0db/ f
),

где арктангенс вычисляется в градусах.

3. Для ОУ с внешней коррекцией указывается значение емкости корректирующего конденсатора Cc, для которого приведено значение запаса по фазе Phi и другие параметры ОУ.

4. В справочных данных обычно приводится полное выходное сопротивление R
=Ro-ac + Ro-dc. Его надо разделить на две составляющие, ориентируясь на приближенное соотношение Ro-dc=2Ro-ac.

Компараторы напряжения. После выбора в начальном меню программы Parts режима VOLT. COMPARATOR необходимо ответить на ряд запросов программы:

Input Stage –  NPN, PNP  (тип биполярного транзистора во входном каскаде);

Output Stage Connection –  to –V Supply или to Ground (указывается,  подключен ли транзистор выходного каскада   к источнику отрицательного напряжения или предусмотрен независимый вывод “земли” выходного каскада, как показано на рис. 5.5).

Паспортные данные компараторов напряжения, которые вводит пользователь, и список параметров его макромодели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 7.14.

Таблица 7.14

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя              Значение

Переходная характеристика

+Vpwr

Напряжение источника положительного напряжения (5 В)

BF1

BF5

2000

10350

–Vpwr

Напряжение источника отрицательного напряжения (0 В)

RP

VI

505

0

+Vicr

Максимальное значение положительного перепада синфазного напряжения (3,5 В)

–Vicr

Максимальное значение отрицательного перепада синфазного напряжения (0 В)

Ib

Входной ток смещения (25 нА)

Avd

Коэффициент усиления напряжения постоянного тока (200 тыс.)

Rl

Сопротивление нагрузки (10 кОм)

Pd

Потребляемая мощность (50 мВт)

Задержка спада напряжения

Vst

Перепад входного напряжения (0,1 В)

TR3

594 нс

Vod

Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)

td

Длительность задержки (500 нс)

Время переключения

Vst

Перепад входного напряжения (0,1 В)

TF5

7 нс

Vod

Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)

ttr

Длительность фронта нарастания выходного напряжения (100 нс)

Время нарастания напряжения

Vst

Перепад входного напряжения (0,1 В)

TR5

384 нс

Vod

Перевозбуждение входного напряжения (20 мВ)

td

Длительность фронта спада выходного напряжения (500 нс)

<




По умолчанию параметрам математической модели присваиваются значения параметров типовых компараторов каждого типа. Выше для конкретности указаны параметры компаратора 1401СА1 (аналог LM319) [9, 46].

Стабилизатор напряжения. В табл. 7.15 приведены паспортные данные стабилизатора напряжения (VOLT. REFERENCE), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе [85].

Таблица 7.15

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя            Значение

Динамическое сопротивление

Ir, Rz

Зависимость обратного тока Ir  от динамического сопротивления Rz

NZ

RZ

10


0,5 Ом

Напряжение стабилизации

Vref

Напряжение обратного пробоя

RBV

2,5 кОм

Ir

Обратный ток, при котором измерено напряжение Vref

IRMAX

30 мА

Irmax

Модуль максимального значения тока пробоя

Температурная нестабильность

Temp, Vref

Зависимость напряжения обратного пробоя Vref от температуры

TC1

TC2

10


–7·10


Характеристики режима обратного включения

Vr, Ir

Зависимость обратного напряжения Vr от обратного тока Ir

IREV

NREV

200 мкА

50

Характеристики рабочего режима

Ifwd, Vfwd

Зависимость потребляемого тока Ifwd от напряжения Vfwd

IS

N

RS

IKF

XTI

10


1

0,1 Ом

0

3



Регулятор напряжения. Паспортные данные регулятора напряжения (VOLT. REGULATOR), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе [83], приведены в табл. 7.16.

Таблица 7.16

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя              Значение

Напряжение стабилизации

Vref

Напряжение стабилизации

VREF

1,25 В

Dropout

Напряжение отпускания

N

2

(Vi–Vo)max

Максимальная разница между входным и выходным напряжением

IOmin

Минимальный выходной ток

Ток установки

Iadj

Ток установки

BETA

50 мкСм

Выходное сопротивление

Zout

Выходное сопротивление на низких частотах

VAF

100 В

Zero

Частота нуля выходного комплексного сопротивления

CPZ

1 мкФ

RR

Неравномерность ослабления пульсаций на низких частотах, в децибелах

Frequency

Частота, на которой измерены Zout и RR

IO

Выходной ток, при котором измерены Zout и RR

Предельные значения  выходного тока

IOmax

Максимальный выходной ток

RB2

200 Ом

Iofb, Vi-Vo

Зависимость тока обратной связи Iofb от разницы между входным и выходным напряжением Vi-Vo

ESC1

ESC2

0,5

–0,1

EFB1

25

EFB2

–1

EB

100

<




Магнитный сердечник. Программа Parts в настоящее время оценивает параметры модели магнитного сердечника уровня LEVEL=2, в которой не учитываются эффекты взаимодействия доменов и частотно-зависимые потери. Наиболее адекватно эта модель описывает ферриты и молибденовые пермаллои. Программа Parts на основании экспериментальных данных оценивает параметры, отражающие физические свойства магнитных материалов. При создании файлов моделей сердечников из одного материала с разной геометрией удобно использовать конструкцию AKO (см. разд. 3.2 ).

Пользователь вводит по точкам кривую намагничивания и указывает значение начальной магнитной проницаемости, на основании чего программа рассчитывает параметры его модели (напряженность магнитного поля H указывается в эрстедах, магнитная индукция B – в гауссах; см. табл. 7.17):

Таблица 7.17

Символы данных

Справочные данные

(Model Spec.)

Параметры модели

(Parameters)

Имя                        Значение

H (Oers.),

B (Gauss)

Координаты кривой намагничивания.

Начальная магнитная проницаемость
=1000

MS

A

C

500·10
 А/м

10 А/м

0,1

K

10

ALPHA

10


GAMMA

0 c


AREA

0,1 см


GAP

0 см

PACK

1

PATH

1 см

LEVEL

2 (не изменяется)

После ввода по точкам кривой гистерезиса и расчета параметров модели магнитного сердечника в окне Parameters

вводят значения  геометрических размеров сердечника AREA, PATH, GAP и PACK.


Содержание раздела