Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center




Транзисторный полосовой усилитель - часть 2


.MODEL   MRES   RES ( R=1 DEV=20% TC1=0.01 )

.LIB    bip_rus.lib

.TEMP    -37   27    67

.DC    VS    0.5    20.5    5

.TF     V(3)   VS

.SENS   VBE(Q1)

.AC    LIN    41   16MEG   56MEG

.NOISE   V(9)   VIN

.MC    5    AC    V(9)    YMAX

.TRAN/OP    5ns    1us

.FOUR    36MEG    V(9)

.PRINT    NOISE    INOISE    ONOISE

.PROBE    V(3)    V(6)    V(9)    V(INOISE)

.END

В первых двух строках этого файла указан заголовок задания и дан комментарий. На следующей строке по директиве .OPTIONS  устанавливаются параметры выдачи результатов моделирования в выходной файл band.out и допустимая погрешность вычислений. Затем идет описание схемы усилителя (порядок следования строк в этом файле совершенно произвольный). На вход подключен источник напряжения VIN, ЭДС которого в режиме AC равна 1 В (в этом режиме рассчитываются частотные характеристики линеаризованной цепи, поэтому абсолютное значение ЭДС входного сигнала не принципиально), а в режиме TRAN имеет вид гармонического сигнала с частотой 36 МГц и амплитудой 0,05 В (здесь уже ЭДС входного сигнала имеет реальную амплитуду, так как переходные процессы рассчитываются для исходной нелинейной цепи). Резисторы R1, R2 и R4 описываются по директиве .MODEL моделью с именем MRES, параметры которой перечислены в круглых скобках (они имеют линейный температурный коэффициент сопротивления TC1=0,01, разброс сопротивлений имеет относительное среднеквадратическое отклонение DEV=20 %). Директива .LIB указывает, что параметры модели биполярного транзистора находятся в файле bip_rus.lib. По директиве .TEMP устанавливается список температур, при которых будет проводиться анализ характеристик усилителя. По директиве .DC определяется режим расчета по постоянному току при вариации напряжения источника питания VS от 0,5 до 20,5 В с шагом 5 В. Малосигнальная передаточная функция dV(9)/dVIN рассчитывается по директиве .TF. Далее по директиве .SENS рассчитывается чувствительность постоянного напряжения база–эмиттер транзистора VBE(Q1) к изменению параметров всех компонентов схемы.


Содержание  Назад  Вперед