Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center




Транзисторы СВЧ - часть 2


VE  10   9   0V

.ENDS

Рис. 5.7. Линейная высокочастотная макромодель транзистора КТ642 (а) и схема измерения его Y-параметров (б)

Обратим внимание на моделирование комплексного коэффициента передачи тока

 с помощью управляемого источника тока

GK  6  3  LAPLACE  {I(VE)} {1/(1+S/25e9)}

В моделях полевых транзисторов используются операторы запаздывания, например

GC  10  7  LAPLACE  {V(3)} {18e-3*EXP(-1.2e-10*S)}

Примечание. Идентификация параметров малосигнальных схем замещения транзисторов производится на основе расчета их Y–параметров в схеме, показанной на рис. 5.7, б. В текстовом виде задание на моделирование имеет вид:

Y-parameters calculation

.AC   LIN   101   10MEG   1G 

.PROBE

.param A=1

.step   param   A   list   1   0

V1   1   0   AC   {A}

V2   2   0   AC   {1-A}

X1   1   2   KT642

.inc  KT642.mod

.END

Здесь в одном задании проводятся два опыта при коротком замыкании на выходе (параметр А=1) и коротком замыкании на входе (А=0). Для построения с помощью программы Probe графиков мнимых и действительных частей Y–параметров и инвариантного коэффициента устойчивости KMS рекомендуется в файл msim.prb включить макрокоманды 

RY11( )=-(IR(V1)@1*VR(1)@1+II(V1)@1*VI(1)@1)/M1

IY11( )=-(II(V1)@1*VR(1)@1-IR(V1)@1*VI(1)@1)/M1

IY21( )=-(II(V2)@1*VR(1)@1-IR(V2)@1*VI(1)@1)/M1

RY21( )=-(IR(V2)@1*VR(1)@1+II(V2)@1*VI(1)@1)/M1

RY12( )=-(IR(V1)@2*VR(2)@2+II(V1)@2*VI(2)@2)/M2

IY12( )=-(II(V1)@2*VR(2)@2-IR(V1)@2*VI(2)@2)/M2

RY22( )=-(IR(V2)@2*VR(2)@2+II(V2)@2*VI(2)@2)/M2

IY22( )=-(IR(V2)@2*VR(2)@2+II(V2)@2*VI(2)@2)/M2

M1( )=M(V(1)@1)*M(V(1)@1)

M2( )=M(V(2)@2)*M(V(2)@2)

KMS( ) = 10*log10(I(V2)@1/V(1)@1/I(V1)@2*V(2)@2)

Для построения, например, графика частотной зависимости мнимой составляющей Y11 следует выбрать команду Trace/Add

и указать имя макрокоманды IY11 (без параметров).

в) Формальные малосигнальные макромодели

Второй способ построения высокочастотных моделей транзисторов основан на применении их малосигнальных схем замещения.


Содержание  Назад  Вперед