Высокочастотные схемы замещения резистора и конденсатора
Модели дискретных конденсаторов и резисторов на высоких частотах должны учитывать паразитные индуктивности выводов, шунтирующую емкость резистора и сопротивление потерь конденсатора. Примеры эквивалентных схем композиционных или пленочных резисторов с допустимой рассеиваемой мощностью 0,25 Вт и керамических конденсаторов небольших размеров, используемых на частотах выше 1 МГц, приведены на рис. 5.15 [22]. Длина выводов в каждой модели принята 2,5 мм. Если длины соединительных проводников печатной платы будут больше, то индуктивности выводов необходимо увеличить, исходя из удельной индуктивности 0,4 нГн/мм. Подобные модели удобнее всего оформлять в виде подсхем (макромоделей), как указано ниже:
*Макромодель угольного металлопленочного резистора
.subckt RES 1 3 PARAMS: R=1
R 1 2 {R} ; сопротивление резистора
L 2 3 7n ; индуктивность выводов
C 1 3 0.3p ; шунтирующая емкость
.ends
*
*Макромодель керамического конденсатора
.subckt CER_CAP 1 4 PARAMS: C=1
C 1 2 {C} : емкость конденсатора
R 2 3 0.075 : сопротивление потерь
L 3 4 7n : индуктивность выводов
.ends
Здесь предусмотрена возможность передавать из основной схемы в макромодель сопротивление резистора и емкость конденсатора с помощью параметров R и C,
указанных после ключевого слова PARAM. Например, резистор с сопротивлением 3,9 кОм включается между узлами 5 и 8 схемы предложением
XRES 5 8 RES PARAMS:R=3.9k
|
Рис. 5.15. Высокочастотные эквивалентные схемы пленочного резистора 0,25 Вт (а) и керамического конденсатора (б) |
