Бытовая радиоаппаратура и ее ремонт


Глава вторая - стр. 7


 

 

2.3. Особенности эксплуатации полупроводниковых приборов

 

При эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, интег­ральных микросхем) прежде всего необходимо соблюдать полярность подводимых к их выводам напряжений. Транзисторы со структурой р-n-р должны иметь отридательный потенциал на коллекторе по отношению к эмиттеру и базе. Потенциал базы в схеме включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) должен быть от­рицательным по отношению к эмиттеру. Транзисторы с n-р-n структурой должны иметь положительный потенциал на коллекторе и базе по отношению к эмиттеру. Потенциал базы в схеме включения с ОЭ для этого типа транзисторов должен быть положительный.

Неправильное включение транзисторов и интегральных микросхем может при­вести к выводу их из строя даже при подаче на выводы небольших напряжений обратной полярности.

При впаивании транзисторов и интегральных микросхем необходимо соблю­дать меры предосторожности, поскольку выводы их могут сильно нагреваться, а чрезмерный перегрев приведет к выходу их из строя. Время пайки должно быть по возможности минимальным. Для отвода тепла при пайке выводы транзисторов необходимо охватить пинцетом.

Для избежания выхода из строя транзисторов и интегральных микросхем во время пайки за счет возникновения токов утечки между стержнем паяльника, включенного в сетевую розетку, и выводами приборов паяльник должен быть за­землен или включен в сеть через трансформатор.

В случае необходимости при монтаже выводы транзисторов можно сгибать с помощью плоскогубцев с большой осторожностью — места выводов транзисто­ров и диодов очень чувствительны к механическим нагрузкам. Изгибать выводы ближе 5 мм от корпуса и использовать их для крепления транзисторов недопустимо.

В процессе монтажа микросхем должны быть также приняты меры, исключаю­щие повреждение из-за перегрева и механических усилий. Пайка микросхем долж­на производиться групповым паяльником для одновременного прогрева всех выво­дов микросхемы.


Начало  Назад  Вперед