РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


МИКРОСХЕМЫ СЕРИИ К140УД1 - часть 6


Нагрузкой эмиттерных повторителей VT3 и VT10 являются ге­нераторы токов на транзисторах VT5 и VT11. Ток этих транзисто­ров задается транзистором VT4. Ток транзисторов VT5 и VT11 можно менять внешним резистором, который подключается к выво­дам 1 и 5.

Выходной сигнал с эмиттера транзистора VT10 подается на усилительный каскад, который обеспечивает общий коэффициент усиления интегральной микросхемы. Нагрузкой транзистора VT10 является генератор тока на транзисторе VT17. Сигнал с эмиттера транзистора VT15 подается в базу усилительного транзистора VT20, в коллектор которого включен транзистор VT18, работающий в ди­намическом режиме. Противофазные сигналы, снимаемые с коллек­торов транзисторов VT17 и VT20, подаются на составной выходной эмиттерный повторитель (транзисторы VT24 и VT27). Для защиты интегральной микросхемы от перегрузок включены транзисторы VT21. VT22, VT25, VT26.

Операционные усилители К140УД6 выпускают двух типов: К140УД6А и К140УД6Б. Каждый тип имеет свою зависимость выход­ного сигнала от сопротивления нагрузки (рис. 1.42). Относительные изменения напряжения смещения от температуры показаны на рис. 1.43. Зависимость от температуры входных токов показана на рис. 1.44, а разности входных токов — на рис. 1.45. Зависимость об­щего коэффициента усиления от питающего напряжения приведена на рис. 1.46. Для балансировки ОУ можно использовать схему вклю­чения, приведенную на рис. 1.47.

Микросхема К140УД7. Схема ОУ приведена на рис. 1.48. Вход­ной сигнал подается в базы транзисторов VT2 и VT3. В эмиттерах этих транзисторов включены динамические нагрузки, выполненные на транзисторах VT4 и VT5 проводимости типа р-n-р. Базовый по­тенциал транзисторов VT4, VT5, а следовательно, и потенциалы эмиттеров транзисторов VT2 и VT3 определяются делителем на тран­зисторах VT9 и VT10, смещение на которые обеспечивается транзи­сторами VT1 и VT12 в диодном включении.

Разностный сигнал при подаче входного сигнала на выводы 2 и 3 выделяется на коллекторном выводе транзистора VT5. Нагруз­кой транзисторов VT4 и VT5 является схема «токовое зеркало», по­строенная на транзисторах VT6VT8. Постоянное напряжение на коллекторных выводах транзисторов VT5 и VT8 определяется то-ком через эти транзисторы.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин