РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА


МОДУЛЯТОРЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА - часть 2


Значительная часть существующих работ по модуляторам по­священа этому вопросу. Рассматриваются различные варианты уменьшения импульсных помех, а также влияние их на точность пре­образования постоянного сигнала в переменный.

Таблица 6.1

Тип микросхемы

Emax, B

Eост, мВ

I0. нА

Rотк. Ом

tвкл. мкс

К101КТ1

0,1

40

120

К124УТ1

±30

0,1 — 0,3

50

100

К162КТ1

±30

0,1 — 0,3

50

100

К168КТ1.2

0,1

10

100

1,5

К190КТ1

±20

10-4

100

300

2

К190КТ2

±20

10-4

50

50

2

К701МЛЗЗ

±10

0.02

200

350

1,5

К701МЛ36

±30

0,2

200

70

2

К701МЛ37

±30

0,2

100

100

1,5

К284КН1А

— 8, +10

10

160

2,0

К284КН1Б

±10

10

250

2,0

Примечание: Emаx — максимальное напряжение переключаемого сигнала; Eост — остаточное напряжение; I0 — ток утечки; Rотк — сопротивле­ние открытого ключа; tвил — время включения.

В табл. 6.1 приводятся параметры интегральных микросхем, которые применяют для переключения аналоговых сигналов.

1. ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ

 

Микросхема К162КТ1. Микросхема (рис. 6.1) содержит два транзистора типа р-n-р с общим выводом коллектора и приме­няется в прерывателях с автономным управляющим источником. Огтаточное напряжение между контактами 1 и 7 при базовом токе 2 мА составляет: К162КТ1А — 100 мкВ, К162К.Т1Б — 200 мкВ, К162КТ1 — 300 мкВ. Сопротивление между эмиттерами равно 100 Ом. Обратное напряжение база — эмиттер — 30 В а коллек­тор — база — 20 В.

       Рис. 6.1                                    Рис. 6.2

 Микросхема К101КТ1. В микросхеме применены транзисторы с проводимостью типа n-р-n (рис. 6.2). Для управления микросхемой необходимо иметь управляющий сигнал, не связанный с общей ши­ной. Остаточное напряжение между контактами 3 и 7 для групп А, В составляет менее 50 мкВ, а для групп Б, Г — менее 150 мкВ. Напряжение между эмиттерами для групп А, Б составляет 6,3 b] а для групп В, Г — 3 В.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин