УСИЛИТЕЛИ - часть 24
Связь выхода ОУ с затвором правого (по схеме) полевого транзистора обеспечивает 100%-ную ООС. Для устранения самовозбуждения в схему введены две корректирующие цепочки, состоящие из элементов R7, Cl, C2, СЗ. При разомкнутой ОС общий коэффициент усиления составляет 80 дБ. Верхняя частота полосы пропускание равна 50 кГц. Коэффициент ослабления синфазного входного напряжения не менее 70 дБ. а температурный дрейф не более 5 мкВ/град. Усилитель с ООС. Усилитель (рис. 4.59) имеет входное сопротивление 5 МОм при полосе пропускания от 2 Гц до 100 кГц. Коэффициент усиления не менее 103. Максимальная амплитуда неискаженно го выходного сигнала 5 В. Усилитель устойчиво работает в диапазоне температур от — 20 до +60 °С. Стабильность параметров усилителя достигнута полной ООС по постоянному току. Полоса пропускания может быть уменьшена изменением параметров цепочки R6, С2. Транзисторы VT1 и VT2 могут быть заменены на интегральную микросхему К504НТ4, в которой транзисторы незначительно отличаются между собой по параметрам. Это позволит значительно улучшить параметры усилителя. Кроме того, транзисторы VT3 — VT5 можно заменить микросхемой К198НТ4. При замене транзисторов микросхемой необходимо уменьшить напряжение питания.


Рис. 4.58 Рнс. 4.59
9. УСИЛИТЕЛИ С НЕПОСРЕДСТВЕННЫМИ СВЯЗЯМИ
Широкополосный усилитель на микросхеме К140УД5А. Усилитель (рис. 4.60) имеет полосу пропускания от 20 Гц до 2 МГц. Максимальный коэффициент усиления схемы равен 100, при коэффициенте усиления каждого каскада 10 раз. Введение в схему аттенюатора позволяет регулировать коэффициент усиления дискретно с шагом 10. Для устранения самовозбуждения ОУ должны быть включены следующие корректирующие элементы: между выводами 2 и 4 — конденсатор емкостью 18 пФ и между выводами 2 и 12 — емкостью 56 пФ.


Рис. 4.60 Рис. 4.61